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参数资料
| 型号： | MG100J6ES40 |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 47K |
| 代理商： | MG100J6ES40 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MG100M2CK1 | 100 A, 880 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MG25J2YS91 | 25 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG400H1FL1 | 400 A, 550 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MG150J2YS2 | 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG300J2YS21 | 300 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MG100J6ES50 | 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module |
| MG100J7KS50 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:N CHANNEL IGBT (HIGH PWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
| MG100M2YK1 | 制造商:n/a 功能描述:Darlington Module |
| MG100M2YL1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR MODULES |
| MG100N2YK1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR MODULES |
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