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参数资料
| 型号： | MG100Q2YS51A |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 150 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 241K |
| 代理商： | MG100Q2YS51A |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MG10H4GM1 | 10 A, 500 V, 0.5 ohm, 4 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MG10G6EL1 | 10 A, 400 V, 6 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MG10H6EM1 | 10 A, 500 V, 0.5 ohm, 6 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MG10Q6EK1 | 10 A, 900 V, 6 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MG10G6EL2 | 10 A, 450 V, 6 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MG100Q2YS65H | 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module |
| MG1010-11 | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:GUNN Diodes Cathode Heat Sink |
| MG1010C | 制造商:REGAL BELOIT 功能描述:MARATHON PARTS |
| MG1011-15 | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:GUNN Diodes Cathode Heat Sink |
| MG1012-15 | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:GUNN Diodes Cathode Heat Sink |
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