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参数资料
| 型号： | MG120V2YS40 |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 120 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | 2-109C1A, 7 PIN |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 325K |
| 代理商： | MG120V2YS40 |
MG120V2YS40
2001-08-16
1
TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT
MG120V2YS40
High Power Switching Applications
Motor Control Applications
The electrodes are isolated from case.
High input impedance
Includes a complete half bridge in one package.
Enhancement-mode
High speed
: tf = 1.5s (max) (IC = 120A)
trr = 0.6s (max) (IF = 120A)
Equivalent Circuit
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-emitter voltage
VCES
1700
V
Gate-emitter voltage
VGES
±20
V
DC
IC
120
Collector current
1ms
ICP
240
A
DC
IF
120
Forward current
1ms
IFM
240
A
Collector power dissipation (Tc = 25°C)
PC
1200
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
40 ~ 125
°C
Isolation voltage
VIsol
4000
(AC 1 min.)
V
Screw torque (Terminal / mounting)
―
3 / 3
Nm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-109C1A
Weight: 430g (typ.)
Unit: mm
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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