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参数资料
| 型号： | MG200H1FL1A |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 200 A, 550 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | 2-98B1A, 4 PIN |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 47K |
| 代理商： | MG200H1FL1A |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MG100H2DL2 | 100 A, 550 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MG200J2YS2 | 200 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG300N1US42 | 300 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG200Q1US11 | 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG200J2YS45 | 200 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MG200J2YS1 | 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module |
| MG200J2YS11 | 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module |
| MG200J2YS40 | 制造商:n/a 功能描述:Power Module |
| MG200J2YS50 | 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module 制造商:NEW 功能描述:_ |
| MG200J6ES60 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT |
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