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参数资料
| 型号： | MG200J2YS11 |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 200 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 47K |
| 代理商： | MG200J2YS11 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MG150H2CL1 | 150 A, 550 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MG300H1FL1 | 300 A, 550 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MG300Q1US2 | 300 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG50Q6ES11 | 50 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG150G2YL1 | 150 A, 450 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MG200J2YS40 | 制造商:n/a 功能描述:Power Module |
| MG200J2YS50 | 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module 制造商:NEW 功能描述:_ |
| MG200J6ES60 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT |
| MG200J6ES61 | 功能描述:IGBT MOD CMPCT 600V 200A RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| MG200M1UK1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR MODULES |
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