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参数资料
| 型号： | MG200M1UK1 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 200 A, 880 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | 2-109A1A, 5 PIN |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 47K |
| 代理商： | MG200M1UK1 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MG300Q1US21 | 300 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG400J1US42 | 400 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG150G2DL1 | 150 A, 450 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MG150J2YS45 | 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG200J2YS40 | 200 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MG200Q1JS40 | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| MG200Q1UK1 | 制造商:n/a 功能描述:Darlington Module |
| MG200Q1US1 | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| MG200Q1US41 | 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module |
| MG200Q1US51 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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