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参数资料
| 型号： | MG200Q1US51 |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 300 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | 2-109F1A, 4 PIN |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 282K |
| 代理商： | MG200Q1US51 |
MG200Q1US51
2003-12-19
1
TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT
MG200Q1US51
High Power Switching Applications
Motor Control Applications
High input impedance
High speed : tf = 0.3s (Max.)
@Inductive load
Low saturation voltage
: VCE (sat) = 3.6V (Max.)
Enhancement-mode
The electrodes are isolated from case.
Equivalent Circuit
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristic
Symbol
Rating
Unit
Collector-emitter voltage
VCES
1200
V
Gate-emitter voltage
VGES
±20
V
DC
IC
(25°C / 80°C)
300 / 200
Collector current
1ms
ICP
(25°C / 80°C)
600 / 400
A
DC
IF
200
Forward Current
1ms
IFM
400
A
Collector power dissipation (Tc = 25°C)
PC
1500
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
40 ~ 125
°C
Isolation voltage
VIsol
2500
(AC 1 min.)
V
Screw torque (Terminal : M4/M6/mounting)
―
2 / 3 / 3
Nm
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-109F1A
Weight: 465 g (typ.)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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