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参数资料
| 型号： | MG25N6ES42 |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 25 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 47K |
| 代理商： | MG25N6ES42 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MG100N2YS40 | 100 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG100J2YS91 | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG100G1FL1 | 100 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MG100J6ES1 | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG100Q2YK1 | 100 A, 900 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MG25Q1BS1 | 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module |
| MG25Q1BS11 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
| MG25Q2YK1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR MODULES |
| MG25Q2YL1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR MODULES |
| MG25Q2YS40 | 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module |
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