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参数资料
| 型号： | MG25Q1BS11 |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 25 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | 2-33D2A, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 178K |
| 代理商： | MG25Q1BS11 |
MG25Q1BS11
2003-04-11
1
TOSHIBA IGBT Module Silicon N - Channel IGBT
MG25Q1BS11
High Power Switching Applications
Motor Control Applications
l Enhancement-mode
l The electrodes are isolated from case.
Equivalent Circuit
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristic
Symbol
Rating
Unit
Collector-emitter voltage
VCES
1200
V
Gate-emitter voltage
VGES
±20
V
DC
IC
25
Collector current
1ms
ICP
50
A
Collector power dissipation (Tc = 25°C)
PC
250
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature Range
Tstg
40 to 125
°C
Isolation voltage
VIsol
2500
(AC 1 Minute)
V
Screw torque (Terminal / mounting)
―
2 / 3
Nm
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-33D2A
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PDF描述 |
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