型号: | MG30G6EL9 |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | 30 A, 450 V, 6 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
封装: | 2-94E1A, 11 PIN |
文件页数: | 1/4页 |
文件大小: | 157K |
代理商: | MG30G6EL9 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MG30H2YM1 | 30 A, 500 V, 0.205 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
MG30M1BN1 | 30 A, 900 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
MG30H2DM1 | 30 A, 500 V, 0.205 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
MG30J6ES50 | 30 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
MG30T1AL1 | 30 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MG30J6ES50 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
MG30M2YK1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR MODULES |
MG30M2YL1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR MODULES |
MG30N2YK1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR MODULES |
MG30N2YL1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR MODULES |