参数资料
型号: MG30J6ES50
元件分类: IGBT 晶体管
英文描述: 30 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封装: 2-72A5A, 21 PIN
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代理商: MG30J6ES50
MG30J6ES50
2003-09-05
1
TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT
MG30J6ES50
High Power Switching Applications
Motor Control Applications
The electrodes are isolated from case.
High input impedance.
6 IGBTs built into 1 package.
Enhancement-mode.
High speed: tf = 0.36s (Max.) (IC = 30A)
trr = 0.15s (Max.) (IF = 30A)
Low saturation voltage
: VCE (sat) = 2.70V (Max.) (IC = 30A)
Equivalent Circuit
Unit: mm
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
2-72A5A
Weight: 225g
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