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参数资料
| 型号： | MG50J6ES50 |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 194K |
| 代理商： | MG50J6ES50 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MG50M2YK1 | 50 A, 880 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MG50N2YS1 | 50 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG50Q1BS11 | 50 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG50Q1ZS50 | 78 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG50Q2YK1 | 50 A, 900 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MG50M2YK1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR MODULES |
| MG50M2YL1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR MODULES |
| MG50N2YK1 | 制造商:n/a 功能描述:Darlington Module |
| MG50N2YL1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR MODULES |
| MG50N2YS1 | 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module |
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