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参数资料
| 型号： | MG75J6ES50 |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | 2-94A2A, 19 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 232K |
| 代理商： | MG75J6ES50 |
PAGE . 3
REV.0-JUN.21.2005
ELECTRICAL CHARACTERISTICS CURVE
0
50
100
150
200
250
300
350
0.1
1
10
100
1000
Collector Current, I
C (mA)
h
FE
T
J = 25 C
T
J = 150 C
T
J = 100 C
V
CE = 10V
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.1
1
10
100
1000
Collector Current, I
C (mA)
V
BE
(
on)
T
J = 25 C
T
J = 150 C
T
J = 100 C
V
CE = 10V
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
0.1
1
10
100
1000
Collector Current, I
C (m A)
V
CE
(sat
)(
m
V
)
T
J = 25 C
T
J = 150 C
I
C/IB = 10
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.1
1
10
100
1000
Collector Current, I
C (mA)
V
BE
(
s
a
t)
(V
)
T
J = 25 C
T
J = 150 C
I
C/IB = 10
T
J = 100 C
1
10
100
0.1
1
10
100
Reverse Voltage, VR (V)
C
a
pa
c
it
a
nc
e
(
pF
)
CIB (EB)
COB (CB)
f=1 MHz
Fig. 3. Typical hFE vs Collector Current
Fig. 4. Typical VBE vs Collector Current
Fig. 5. Typical VCE (sat) vs Collector Current
Fig. 6. Typical VBE (sat) vs Collector Current
Fig. 7. Typical Capacitances vs Reverse Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| MG75N2YS1 | 75 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MG75N2YK1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR MODULES |
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