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参数资料
| 型号： | MG75Q2YS40 |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | 2-94D1A, 7 PIN |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 400K |
| 代理商： | MG75Q2YS40 |
MG75Q2YS40
2001-04-20
1
TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT
MG75Q2YS40
High Power Switching Applications
Motor Control Applications
High input impedance
High speed :
tf = 0.5s (Max)
trr = 0.5s (Max)
Low saturation voltage++++++++++++
:
VCE(sat) = 4.0V (Max)
Enhancement-mode
Includes a complete half bridge in one package.
The electrodes are isolated from case.
Equivalent Circuit
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristic
Symbol
Rating
Unit
Collector-emitter voltage
VCES
1200
V
Gate-emitter voltage
VGES
±20
V
DC
IC
75
Collector current
1ms
ICP
150
A
DC
IF
75
Forward current
1ms
IFM
150
A
Collector power dissipation
(Tc = 25°C)
PC
560
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
40 ~ 125
°C
Isolation voltage
VIsol
2500
(AC 1 minute
)
V
Screw torque (Terminal / mounting)
―
3 / 3
Nm
JEDEC
―
EIAJ
―
TOSHIBA
2-94D1A
Weight: 202g
Unit: mm
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MG75Q2YS42 | 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
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| MG75Q2YS51 | 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG75Q2YS52 | 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG75Q2YS52 | 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MG75Q2YS42 | 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module |
| MG75Q2YS50 | 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module |
| MG75Q2YS51 | 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module |
| MG75Q2YS52 | 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module |
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