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参数资料
| 型号： | MG75Q2YS51 |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | 2-108D1A, 7 PIN |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | MG75Q2YS51 |
MG75Q2YS51
2001-04-20
1
TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT
MG75Q2YS51
High Power Switching Applications
Motor Control Applications
High input impedance
High speed :
tf = 0.3 s (Max)
@Inductive load
Low saturation voltage
:
CE (sat) = 3.6 V (Max)
Enhancement-mode
Includes a complete half bridge in one package
The electrodes are isolated from case
Equivalent Circuit
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristic
Symbol
Rating
Unit
Collector-emitter voltage
VCES
1200
V
Gate-emitter voltage
VGES
±20
V
DC
IC
(25°C / 80°C)
100 / 75
Collector current
1ms
ICP
(25°C / 80°C)
200 / 150
A
DC
IF
75
Forward current
1ms
IFM
150
A
Collector power dissipation
(Tc = 25°C)
PC
600
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
40 ~ 125
°C
Isolation voltage
VIsol
2500
(AC 1minute)
V
Screw torque (Terminal / mounting)
―
3 / 3
Nm
JEDEC
―
EIAJ
―
TOSHIBA
2-108D1A
Weight: 240g
Unit: mm
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MG90V2YS40 | 90 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT |
| MGA-86563-BLK | 500 MHz - 6000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER |
| MGA-86563-TR1 | 500 MHz - 6000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER |
| MGB15N43CLT4 | 15 A, 460 V, N-CHANNEL IGBT |
| MGD623N | 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MG75Q2YS52 | 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module |
| MG78 | 制造商:Defender Security 功能描述:Portable Motion Alarm |
| MG780 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Precision High Voltage Resistors |
| MG780-10M | 功能描述:厚膜电阻器 - 透孔 10M ohm 7.5W 15kV RoHS:否 制造商:Caddock 电阻:27 kOhms 容差:1 % 功率额定值:8 W 温度系数:50 PPM / C 系列:MS 端接类型:Axial 电压额定值:2 kV 工作温度范围:- 15 C to + 275 C 尺寸:8.89 mm Dia. x 23.11 mm L 封装:Bulk |
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