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参数资料
| 型号： | MGA625-647G |
| 厂商： | ADVANCED INTERCONNECTIONS CORP |
| 元件分类： | 插座 |
| 英文描述： | BGA625, IC SOCKET |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 53K |
| 代理商： | MGA625-647G |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MGA736-647G | BGA736, IC SOCKET |
| MBA169-647G | BGA169, IC SOCKET |
| MBA225-647T | BGA225, IC SOCKET |
| MBA324-647T | BGA324, IC SOCKET |
| MBA361-647T | BGA361, IC SOCKET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MGA-631P8-BLKG | 功能描述:射频GaAs晶体管 GaAs RFIC LNA RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| MGA-631P8-TR1G | 功能描述:射频GaAs晶体管 GaAs RFIC LNA RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| MGA-631P8-TR2G | 功能描述:射频GaAs晶体管 GaAs RFIC LNA RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| MGA-632P8-BLKG | 功能描述:射频放大器 GaAs RFIC LNA RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 类型:Low Noise Amplifier 工作频率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 输出截获点:37.5 dBm 功率增益类型:32 dB 噪声系数:0.85 dB 工作电源电压:5 V 电源电流:125 mA 测试频率:2.6 GHz 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 封装:Reel |
| MGA-632P8-TR1G | 功能描述:射频放大器 GaAs RFIC LNA RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 类型:Low Noise Amplifier 工作频率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 输出截获点:37.5 dBm 功率增益类型:32 dB 噪声系数:0.85 dB 工作电源电压:5 V 电源电流:125 mA 测试频率:2.6 GHz 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 封装:Reel |
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