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参数资料
| 型号： | MGF0906B |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, JFET |
| 封装： | HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, GF-21, 2 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 592K |
| 代理商： | MGF0906B |
MITSUBISHI
ELECTRIC
June/2004
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MGF0907B | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, JFET |
| MGF0911A | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, JFET |
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| MGF0913A-03 | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, JFET |
| MGF0913A | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, JFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MGF0906B_1 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:L,S BAND POWER GaAs FET |
| MGF0906B_11 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:High-power GaAs FET (small signal gain stage) |
| MGF0907 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:L,S BAND POWER GaAs FET |
| MGF0907B | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:High-power GaAs FET (small signal gain stage) |
| MGF0907B_1 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:L,S BAND POWER GaAs FET |
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