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参数资料
| 型号： | MGF1412-11-09 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET |
| 封装： | HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC PACKAGE-4 |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 148K |
| 代理商： | MGF1412-11-09 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MGF1412-11-08 | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET |
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| MGFC1412-T01 | X BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET |
| MGFC1412-T03 | X BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET |
| MGF1412-11-10 | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MGF1423B | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:SMALL SIGNAL GaAs FET |
| MGF1451A | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:Low Noise MES FET |
| MGF1601B | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:High-power GaAs FET (small signal gain stage) |
| MGF1601B_1 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:MICROWAVE POWER GaAs FET |
| MGF1601B_11 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:High-power GaAs FET (small signal gain stage) |
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