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参数资料
| 型号： | MGF1423BV-01 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | KU BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MESFET |
| 封装： | GD-9, 4 PIN |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 201K |
| 代理商： | MGF1423BV-01 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MHPM6B7E60D3 | 7 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| MPF4392-5 | 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| MPS918 | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MMSF6N01HD | 6 A, 12 V, 0.045 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MM3007 | 2500 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MGF1451A | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:Low Noise MES FET |
| MGF1601B | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:High-power GaAs FET (small signal gain stage) |
| MGF1601B_1 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:MICROWAVE POWER GaAs FET |
| MGF1601B_11 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:High-power GaAs FET (small signal gain stage) |
| MGF1801 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:MICROWAVE POWER GaAs FET |
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