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参数资料
| 型号： | MGF1952A |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | KU BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MESFET |
| 封装： | LEADLESS, CERAMIC PACKAGE-4 |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 160K |
| 代理商： | MGF1952A |
MITSUBISHI SEMICONDUCTOR <GaAs FET>
MGF1952A
Microwave Power MES FET
(Leadless Ceramic Package)
MITSUBISHI
(3/5)
June /2004
TYPICAL CHARACTERISTICS
(Ta=25
°C)
§ww§
§w
§
w
ID vs. VGS
-3.0
-2.5
-2.0
-1.5
-1.0
-0.5
0.0
GATE TO SOURCE VOLTAGE
VGS(V)
DR
A
IN
CUR
R
E
N
T
I
D
(m
A
)
Ta=25deg.C
VDS=3V
ID vs. VDS
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE VDS(V)
D
R
A
IN
CU
R
E
N
T
ID
(m
A
)
Ta=25deg.C
VGS=-0.2V/STEP
VGS=0V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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