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参数资料
| 型号： | MGFC1423-T01 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | KU BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET |
| 封装： | DIE-6 |
| 文件页数： | 1/10页 |
| 文件大小： | 333K |
| 代理商： | MGFC1423-T01 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| MGFC1425-T01 | KU BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET |
| MGF1425-61-16 | KU BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET |
| MGF1801BT | X BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, JFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MGFC1801 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:FOR MICROWAVE LOW-NOISE AMPLIFIERS,N-CHANNEL SCHOTTKY BARRIER GATE TYPE |
| MGFC36V3436 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:3.4 ~ 3.6GHz BAND 4W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
| MGFC36V3436_04 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:3.4 ~ 3.6GHz BAND 4W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
| MGFC36V3436_11 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:C band internally matched power GaAs FET |
| MGFC36V3742A | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:3.7 ~ 4.2GHz BAND 4W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
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