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参数资料
| 型号： | MGFC40V7785-51 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | X BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, JFET |
| 封装： | HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, GF-18, 2 PIN |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | MGFC40V7785-51 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MGFC42V3436 | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, JFET |
| MGFC42V7785-51 | X BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, JFET |
| MGFK25V4045-01 | KU BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET |
| MGFK25V4045 | KU BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, JFET |
| MGFK37V4045-01 | KU BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, JFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MGFC40V7785A | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:7.7 - 8.5GHz BAND 10W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
| MGFC40V7785B | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:7.7 - 8.5GHz BAND 10W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
| MGFC41V3642 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:3.6 - 4.2GHz BAND 12W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
| MGFC41V3642_04 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:3.6 - 4.2GHz BAND 12W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
| MGFC41V5964 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:5.9 - 6.4GHz BAND 12W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
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