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参数资料
| 型号： | MGFC42V7177-51 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, JFET |
| 封装： | HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, GF-18, 2 PIN |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 59K |
| 代理商： | MGFC42V7177-51 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MGFC42V7177-01 | C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, JFET |
| MGFC42V7785A | X BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, JFET |
| MGFC4419G-A13 | K BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET |
| MGFC4419G-A12 | K BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET |
| MGFC4419G-A03 | K BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MGFC42V7785A | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:7.7- 8.5GHz BAND 16W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
| MGFC42V7785A_04 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:7.7 ~ 8.5GHz BAND 16W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
| MGFC4419G | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:InGaAs HEMT Chip |
| MGFC44V3436 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:3.4-3.6GHz BAND 25W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
| MGFC44V3642 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:3.6-4.2GHz BAND 24W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
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