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参数资料
| 型号： | MGFC4414D-03 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | X BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET |
| 封装： | DIE-6 |
| 文件页数： | 1/12页 |
| 文件大小： | 755K |
| 代理商： | MGFC4414D-03 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MGSF3441V | 3300 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| MGSF3442X | 1700 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| MGSF3454VT1 | 4.2 A, 30 V, 0.065 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MGSF3454V | 4.2 A, 30 V, 0.065 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MGSF3454XT1 | 1750 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MGFC4419G | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:InGaAs HEMT Chip |
| MGFC44V3436 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:3.4-3.6GHz BAND 25W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
| MGFC44V3642 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:3.6-4.2GHz BAND 24W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
| MGFC44V3642_98 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:3.6-4.2GHz BAND 24W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
| MGFC44V4450 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:4.4-5.0GHz BAND 24W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
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