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参数资料
| 型号： | MGFK35V2228 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | KU BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, JFET |
| 封装： | HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, GF-14, 2 PIN |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 48K |
| 代理商： | MGFK35V2228 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MGFK35V2732-01 | KU BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, JFET |
| MGFK35V2732 | KU BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, JFET |
| MGFK35V4045-01 | KU BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, JFET |
| MGFK35V4045-51 | KU BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, JFET |
| MGFK35V2732-51 | KU BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, JFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MGFK35V2732 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:12.7-13.2GHz BAND 3W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
| MGFK35V4045 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:14.0-14.5GHz BAND 3W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
| MGFK35V4045_03 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:14.0-14.5GHz BAND 3W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
| MGFK35V4045_11 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:X/Ku band internally matched power GaAs FET |
| MGFK36V4045 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:14.0-14.5GHz BAND 4W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
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