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参数资料
| 型号： | MGFL45V1920 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | L BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, JFET |
| 封装： | GF-38, 2 PIN |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 301K |
| 代理商： | MGFL45V1920 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MGFL48V1920 | L BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, JFET |
| MGFS44V2527-01 | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, JFET |
| MGFS44V2527-51 | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, JFET |
| MGFS44V2735 | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, JFET |
| MGFS45B2527B | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MGFL45V1920A | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:1.9-2.0GHz BAND 32W INTERNALLY MATCHD GaAs FET |
| MGFL45V1920A_04 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:1.9 - 2.0GHz BAND 32W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
| MGFL45V1920A_11 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:1.9-2.0 GHz BAND / 32W |
| MGFL48L1920 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:1.9-2.0GHz BAND 60W GaAs FET |
| MGFL48V1920 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:1.9-2.0 GHz BAND / 60W |
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