| 型号: | MGFS36E2325 |
| 元件分类: | 放大器 |
| 英文描述: | 2300 MHz - 2500 MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER |
| 封装: | ROHS COMPLIANT PACKAGE-10 |
| 文件页数: | 1/6页 |
| 文件大小: | 65K |
| 代理商: | MGFS36E2325 |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MGFX35V0005-01 | X BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, JFET |
| MGFX35V0510-01 | X BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, JFET |
| MGFX35V1722-01 | KU BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, JFET |
| MGFX38V0005-01 | X BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, JFET |
| MGRB2018CTT4 | 10 A, 180 V, GALLIUM ARSENIDE, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MGFS36E2325_10 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:2.3-2.5GHz HBT HYBRID IC |
| MGFS36E2527 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:2.5-2.7GHz HBT HYBRID IC |
| MGFS36E2527_07 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:2.5-2.7GHz HBT HYBRID IC |
| MGFS36E2527_08 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:2.5-2.7GHz HBT HYBRID IC |
| MGFS36E2527_10 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:2.5-2.7GHz HBT HYBRID IC |