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参数资料
| 型号： | MGFS45V2325 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, JFET |
| 封装： | HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, GF-38, 2 PIN |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 27K |
| 代理商： | MGFS45V2325 |
P1dB,GLP vs. Freq.
41
42
43
44
45
46
2.25
2.3
2.35
2.4
2.45
2.5
2.55
Frequency (GHz)
11
12
13
14
15
16
VDS=10V
IDS=6.5A
P1dB
GLP
Po,
ηadd vs. Pin
20
25
30
35
40
45
50
15
20
25
30
35
40
Input power Pin (dBm)
10
20
30
40
50
60
70
VDS=10V
IDS=6.5A
f=2.4GHz
Po
ηadd
Po,IM3 vs. Pin
28
30
32
34
36
38
40
15
20
25
30
Input power Pin (dBm S.C.L.)
-60
-50
-40
-30
-20
-10
0
VDS=10V
IDS=6.5A
f1=2.500GHz
f2=2.505GHz
Po
IM3
MITSUBISHI SEMICONDUCTOR <GaAs FET>
2.3~2.5GHz BAND 30W INTERNALLY MATCHD GaAs FET
TYPICAL CHARACTERISTICS
2.20
2.25
2.30
2.35
2.40
2.45
2.50
2.55
2.60
0.36
0.39
0.40
0.39
0.36
0.30
0.24
0.21
0.28
-168
170
150
132
112
87
53
1
-48
4.71
4.70
4.68
4.64
4.52
4.28
88
71
54
38
21
3
-14
-34
-54
0.036
0.037
0.038
0.040
0.041
0.043
0.044
0.043
47
29
10
-7
-26
-45
-63
-85
-103
0.30
0.26
0.23
0.22
0.23
0.24
0.25
-10
-27
-45
-66
-86
-105
-125
-141
-158
f
(GHz)
S-Parameter (TYP.)
S11
Magn.
Angle(deg)
Magn.
Angle(deg)
Magn.
Angle(deg)
Magn.
Angle(deg)
S21
S12
S22
S Parameters ( Tc=25C, VDS=10V, IDS=6.5A )
MITSUBISHI
ELECTRIC
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PDF描述 |
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