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参数资料
| 型号： | MGV100-22-E28X |
| 元件分类： | 变容二极管 |
| 英文描述： | KA BAND, 0.88 pF, 22 V, GALLIUM ARSENIDE, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| 封装： | CERAMIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 612K |
| 代理商： | MGV100-22-E28X |
Revision Date: 11/14/05
GaAs Hyperabrupt Varactor Diodes
MGV Series
Description
The MGV series of hyperabrupt varactor diodes feature
passivated mesa construction for low leakage and excellent post
tuning drift. Available in three constant gamma families of 0.75,
1.0 and 1.25. These diodes will nd application in tunable lters
and oscillators up to 40 GHz. Optimum performance is obtained
using die however packaged devices are available as well
diodes screened per MIL-PRF-19500 and MIL-PRF-38534.
Features
0 to 22 Volt tuning voltage
Tuning ratios up to 10 (typical)
Three constant gamma families -
0.75, 1.0, and 1.25
Screening per MIL-PRF-19500
and MIL-PRF-35834 available
Absolute Maximum Ratings
Parameters
Rating
Reverse Voltage
22 V
Forward Current
100 mA
Power Dissipation
Chip
E28, E28X, & 0805-2
H20, P55 & P55
250 mW at T
C = 25 °C, derate linearly to zero at TC = +200 °C
100 mW at T
A = 25 °C, derate linearly to zero at TA = +150 °C
100 mW at T
A = 25 °C, derate linearly to zero at TA = +200 °C
Operating Temperature
Chip
E28, E28X, & 0805-2
H20, P55 & P55
-65
°C to +200 °C
-65
°C to +150 °C
-65
°C to +200 °C
Storage Temperature
Same as operating temperature.
Soldering Temperature
Chip
Packaged
+320
°C for 10 seconds
+260
°C peak per JEDEC J-STD-20C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MGV125-09 | KA BAND, 0.4 pF, 22 V, GALLIUM ARSENIDE, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| MSV34092-E28 | KU BAND, 9.88 pF, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| MSV40060-P55 | KU BAND, 0.53 pF, 60 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| MMBD4448HT | 0.25 A, 80 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MBR2080CT | 10 A, 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MGV1004100M-10 | 功能描述:10μH Shielded Wirewound Inductor 6.8A 36.5 mOhm Max Nonstandard 制造商:laird-signal integrity products 系列:MGV 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:- 电感:10μH 容差:±20% 额定电流:6.8A 电流 - 饱和值:12A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:36.5 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.433" 长 x 0.394" 宽（11.00mm x 10.00mm） 高度 - 安装（最大值）:0.169"（4.30mm） 标准包装:1 |
| MGV10041R0M-10 | 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 17.5A 4.1 mOhm Max Nonstandard 制造商:laird-signal integrity products 系列:MGV 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:- 电感:1μH 容差:±20% 额定电流:17.5A 电流 - 饱和值:36A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:4.1 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.433" 长 x 0.394" 宽（11.00mm x 10.00mm） 高度 - 安装（最大值）:0.169"（4.30mm） 标准包装:1 |
| MGV10041R5M-10 | 功能描述:1.5μH Shielded Wirewound Inductor 15A 5.8 mOhm Max Nonstandard 制造商:laird-signal integrity products 系列:MGV 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:- 电感:1.5μH 容差:±20% 额定电流:15A 电流 - 饱和值:27.5A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:5.8 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.433" 长 x 0.394" 宽（11.00mm x 10.00mm） 高度 - 安装（最大值）:0.169"（4.30mm） 标准包装:2,000 |
| MGV10042R2M-10 | 功能描述:2.2μH Shielded Wirewound Inductor 12A 9 mOhm Max Nonstandard 制造商:laird-signal integrity products 系列:MGV 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:- 电感:2.2μH 容差:±20% 额定电流:12A 电流 - 饱和值:25.6A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:9 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.433" 长 x 0.394" 宽（11.00mm x 10.00mm） 高度 - 安装（最大值）:0.169"（4.30mm） 标准包装:1 |
| MGV10043R3M-10 | 功能描述:3.3μH Shielded Wirewound Inductor 10A 11.8 mOhm Max Nonstandard 制造商:laird-signal integrity products 系列:MGV 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:- 电感:3.3μH 容差:±20% 额定电流:10A 电流 - 饱和值:18.6A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:11.8 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.433" 长 x 0.394" 宽（11.00mm x 10.00mm） 高度 - 安装（最大值）:0.169"（4.30mm） 标准包装:1 |
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