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参数资料
| 型号： | MGV125-20-E28 |
| 元件分类： | 变容二极管 |
| 英文描述： | KA BAND, 0.58 pF, 22 V, GALLIUM ARSENIDE, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| 封装： | CERAMIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 612K |
| 代理商： | MGV125-20-E28 |
Aeroex / Metelics, Inc.
www.aeroex-metelics.com
4
Revision Date: 11/14/05
GaAs Hyperabrupt Varactor Diodes
MGV Series,
Γ = 1.00±10%
Chip
Electrical Specifications, T
A = 25 °C
V
BR = 22 V min.
Model
I
R
C
J
Tuning Ratio
Q
MIN
Package
MAX
nA
MIN
pF
NOM
pF
MAX
pF
MIN
TYP
MGV100-08
100
0.30
0.35
0.40
2.7
3.4
5.0
4,000
C01A
MGV100-09
100
0.40
0.45
0.50
2.7
3.4
5.0
4,000
C01A
MGV100-20
100
0.50
0.55
0.61
2.7
3.4
5.0
4,000
C01A
MGV100-21
100
0.58
0.65
0.72
2.7
3.4
5.0
4,000
C01A
MGV100-22
100
0.72
0.80
0.88
2.7
3.4
5.0
3,000
C01A
MGV100-23
100
0.90
1.00
1.10
2.7
3.4
5.0
3,000
C01A
MGV100-24
100
1.08
1.20
1.32
2.7
3.4
5.0
3,000
C01A
MGV100-25
100
1.35
1.50
1.65
2.7
3.4
5.0
3,000
C01A
MGV100-26
100
1.63
1.70
1.87
2.7
3.4
5.0
3,000
C01A
MGV100-27
100
1.80
2.00
2.20
2.7
3.4
5.0
3,000
C01A
Test Conditions
V
R = 18 V
V
R = 4 V
F = 1 MHz
V
R = 2 to 12 V
F = 1 MHz
V
R =
2 to 20 V
V
R = 4 V
F = 50 MHz
Typical Performance, Chips
C
J
(pF)
V
R (Volts)
C
J
(pF)
V
R (Volts)
Outline Drawing
C01A
–
MGV100 -08
–
MGV100 -09
–
MGV100 -20
–
MGV100 -21
–
MGV100 -22
10
1
0.1
.01
1
10
100
–
MGV100 -23
–
MGV100 -24
–
MGV100 -25
–
MGV100 -26
–
MGV100 -27
1
10
100
10
1
0.1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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