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参数资料
| 型号： | MH8S72BALD-7 |
| 厂商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | 603979776-BIT (8388608 - WORD BY 72-BIT)SynchronousDRAM |
| 中文描述： | 603979776位（8388608 - Word的72位）SynchronousDRAM |
| 文件页数： | 38/56页 |
| 文件大小： | 732K |
| 代理商： | MH8S72BALD-7 |
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MITSUBISHI
ELECTRIC
603,979,776-BIT ( 8,388,608-WORD BY 72-BIT ) Synchronous DYNAMIC RAM
MH8S72BAFD -7, -8
MITSUBISHI LSIs
Preliminary
Spec.
1/ Dec./1998
MIT-DS-0273-0.2
38
/CS
/RAS
/CAS
/WE
CKE
BA0,1
DQ
X
X
X
0
Y
0
D0
D0
D0
D0
ACT#0
WRITE#0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
tRCD
Q0
WRITE#1
CLK
X
X
X
1
tRRD
1
Y
D0
D0
D1
D1
Q0
Q0
Q0
ACT#1
WRITE#0
Y
Y
0
0
0
Y
tCCD
CL=3
WRITE#0
READ#0
Burst Write can be interrupted by Write or Read of any active bank.
Italic parameter
indicates minimum case
Write Interrupted by Write / Read
BL=4,Latch mode(REGE="H")
REGE
A0-9
A10
DQM
A11
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MH8S72BALD-8 | 603979776-BIT (8388608 - WORD BY 72-BIT)SynchronousDRAM |
| MH8S72BBFD-7 | 603,979,776-BIT ( 8,388,608-WORD BY 72-BIT ) Synchronous DYNAMIC RAM |
| MH8S72BBFD-8 | 603,979,776-BIT ( 8,388,608-WORD BY 72-BIT ) Synchronous DYNAMIC RAM |
| MH8S72BCFD-6 | 603,979,776-BIT ( 8,388,608-WORD BY 72-BIT ) Synchronous DYNAMIC RAM |
| MH8S72BMG-10 | 603979776-BIT (8388608 - WORD BY 72-BIT)SynchronousDRAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MH8S72BALD-8 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:603979776-BIT (8388608 - WORD BY 72-BIT)SynchronousDRAM |
| MH8S72BBFD-7 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:603,979,776-BIT ( 8,388,608-WORD BY 72-BIT ) Synchronous DYNAMIC RAM |
| MH8S72BBFD-8 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:603,979,776-BIT ( 8,388,608-WORD BY 72-BIT ) Synchronous DYNAMIC RAM |
| MH8S72BCFD-6 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:603,979,776-BIT ( 8,388,608-WORD BY 72-BIT ) Synchronous DYNAMIC RAM |
| MH8S72BMG-10 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:603979776-BIT (8388608 - WORD BY 72-BIT)SynchronousDRAM |
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