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参数资料
| 型号： | MIAA10WF600TMH |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MODULE IGBT CBI |
| 标准包装： | 20 |
| IGBT 类型： | NPT |
| 配置： | 三相反相器 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.6V @ 15V，10A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 18A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 600µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 0.45nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 70W |
| 输入： | 三相桥式整流器 |
| NTC 热敏电阻： | 是 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | MiniPack2 |
| 供应商设备封装： | 迷你型Pack2 |
Advanced Technical Information
MIAA10WF600TMH
Input Rectifier Bridge D8 - D11
Ratings
Symbol
V RRM
I FAV
I DAVM
I FSM
I 2 t
P tot
V F
I R
R thJC
R thCH
Definitions
max. repetitive reverse voltage
average forward current
max. average DC output current
max. forward surge current
I 2 t value for fusing
total power dissipation
forward voltage
reverse current
thermal resistance junction to case
thermal resistance case to heatsink
Conditions
sine 80°
rect.; d = / 3
t = 0 ms; sine 50 Hz
t = 0 ms; sine 50 Hz
I F = 30 A
V R = V RRM
(per diode)
(per diode)
T VJ = 25°C
T C = 80°C
T C = 80°C
T VJ = 25°C
T VJ = 25°C
T VJ = 25°C
T VJ = 25°C
T C = 25°C
T VJ = 25°C
T VJ = 25°C
T VJ = 25°C
T VJ = 25°C
min.
typ.
.35
.35
0.3
0.7
max.
600
22
62
270
tbd
365
tbd
50
.6
0.0
2.
Unit
V
A
A
A
A
A 2 s
A 2 s
W
V
V
mA
mA
K/W
K/W
Temperature Sensor NTC
Ratings
Symbol
R 25
B 25/50
Definitions
resistance
Conditions
T C = 25°C
min.
4.75
typ.
5.0
3375
max.
5.25
Unit
k W
K
Module
Ratings
Symbol
Definitions
Conditions
min.
typ.
max.
Unit
T VJ
T VJM
T stg
V ISOL
CTI
F C
d S
d A
Weight
operating temperature
max. virtual junction temperature
storage temperature
isolation voltage
comparative tracking index
mounting force
creep distance on surface
strike distance through air
I ISOL < mA; 50/60 Hz
-40
-40
40
2.7
2
35
25
50
25
2500
-
80
°C
°C
°C
V~
N
mm
mm
g
Equivalent Circuits for Simulation
I
V 0
R 0
Ratings
Symbol
V 0
R 0
V 0
R 0
V 0
R 0
Definitions
rectifier diode
IGBT
free wheeling diode
Conditions
D8 - D
T - T6
D - D6
T VJ = 25°C
T VJ = 25°C
T VJ = 25°C
min.
typ.
0.9
6
.0
25
.05
35
max.
Unit
V
m W
V
m W
V
m W
T C = 25°C unless otherwise stated
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2007 IXYS All rights reserved
20070404a
3-7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MIAA15WB600TMH | MODULE IGBT CBI |
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| MIAA15WE600TMH | MODULE IGBT CBI |
| MIAA20WB600TMH | MODULE IGBT CBI |
| MIAA20WD600TMH | MODULE IGBT CBI |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MIAA15WB600TMH | 功能描述:分立半导体模块 15 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MIAA15WD600TMH | 功能描述:分立半导体模块 15 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MIAA15WE600TMH | 功能描述:分立半导体模块 15 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MIAA20WB600TMH | 功能描述:分立半导体模块 20 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MIAA20WD600TMH | 功能描述:分立半导体模块 20 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
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