参数资料
型号: MIAA15WD600TMH
厂商: IXYS
文件页数: 6/7页
文件大小: 0K
描述: MODULE IGBT CBI
标准包装: 20
IGBT 类型: NPT
配置: 三相反相器
电压 - 集电极发射极击穿(最大): 600V
Vge, Ic时的最大Vce(开): 2.5V @ 15V,15A
电流 - 集电极 (Ic)(最大): 23A
电流 - 集电极截止(最大): 600µA
Vce 时的输入电容 (Cies): 0.7nF @ 25V
功率 - 最大: 80W
输入: 单相桥式整流器
NTC 热敏电阻:
安装类型: 底座安装
封装/外壳: MiniPack2
供应商设备封装: 迷你型Pack2
Advanced Technical Information
MIAA15WD600TMH
18
2
17
16
15
14
13
12
11
Ic = 15A
Vce = 300V
1.8
1.6
1.4
1.2
Eon
Eoff
Erec
Vce = 300V
Vge = +/-15V
Rg = 68 W
Tvj = 125°C
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
5
10 15 20 25 30
35 40 45 50 55 60 65 70
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30
Qg [nC]
Typical turn on gate charge
Ic, If [A]
Typical switching energy versus collector current
1.4
1.3
1.2
Eon
Eoff
Erec
12
11.5
11
Irr
trr
330 W
If = 15A
Vce = 300V
Vge = +/-15V
Tvj = 125°C
68 W
180
175
170
1.1
1
0.9
0.8
Ic, If = 15A
Vce = 300V
Vge = +/-15V
Tvj = 125°C
10.5
10
9.5
9
165
160
155
150
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
8.5
8
7.5
7
6.5
150 W
145
140
135
130
125
0.2
0.1
0
6
5.5
5
330 W
68 W
120
115
110
50
75
100 125 150 175 200 225 250 275 300 325 350
100
150
200
250
300
350
400
Rg [ W ]
Typical switching energy versus gate resistance
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2007 IXYS All rights reserved
dif/dt [A/μs]
Typical turn-off characteristics of free wheeling diode
2007053 a
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