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参数资料
| 型号： | MIC4225YMME |
| 厂商： | Micrel Inc |
| 文件页数： | 20/20页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DVR INV-NON 4A 8-MSOP |
| 特色产品： | MIC4223/4/5 Low-Side MOSFET Drivers |
| 标准包装： | 100 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 反相和非反相 |
| 延迟时间： | 25ns |
| 电流 - 峰： | 4A |
| 配置数： | 2 |
| 输出数： | 2 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 18 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-MSOP-EP |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1109 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 576-3552-5 |
Micrel, Inc.
MIC4223/MIC4224/MIC4225
8-Pin ePAD MSOP (MME)
MICREL, INC. 2180 FORTUNE DRIVE SAN JOSE, CA 95131 USA
TEL +1 (408) 944-0800 FAX +1 (408) 474-1000 WEB http://www.micrel.com
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? 2009 Micrel, Incorporated.
June 2009
20
M9999-061109-A
(408) 944-0800
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MIC4428YN | IC DRIVER MOSFET 1.5A DUAL 8-DIP |
| MIC4224YMME | IC MOSFET DVR DUAL-NON 4A 8MSOP |
| CFRM106-HF | DIODE FAST 800V 1A MINI SMA |
| MIC4223YMME | IC MOSFET DVR DUAL-INV 4A 8-MSOP |
| MIC4422ZN | IC DRIVER MOSFET 9A LS 8-DIP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MIC4225YMME TR | 功能描述:功率驱动器IC Dual 4A High Speed MOSFET Drivers with Enable RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| MIC4414 | 制造商:MICREL 制造商全称:Micrel Semiconductor 功能描述:1.5A, 4.5V to 18V Low-Side MOSFET Driver |
| MIC4414YFT T5 | 功能描述:功率驱动器IC 4.5V to 18V Ultra-Small Low Side MOSFET Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| MIC4414YFT TR | 功能描述:功率驱动器IC 4.5V to 18V Ultra-Small Low Side MOSFET Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| MIC4414YFT-T5 | 功能描述:IC DVR MOSFET LOW SIDE 4TQFN 制造商:microchip technology 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 驱动配置:低压侧 通道类型:单路 驱动器数:1 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:4.5 V ~ 18 V 逻辑电压?- VIL，VIH:0.8V，3V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.5A，1.5A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:12ns，12ns 工作温度:-40°C ~ 125°C （TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-UQFN 供应商器件封装:4-TQFN（1.2x1.2） 标准包装:1 |
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