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参数资料
| 型号： | MIC5014BM |
| 厂商： | Micrel Inc |
| 文件页数： | 11/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER MOSF HI/LO SIDE 8SOIC |
| 标准包装： | 95 |
| 配置： | 高端或低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 2.5ms |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 1 |
| 电源电压： | 2.75 V ~ 30 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 管件 |
MIC5014/5015
Micrel, Inc.
June 2005
11
MIC5014/5015
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RS3-483.3S/H3 | CONV DC/DC 3W 36-72VIN 3.3VOUT |
| S509D25SL0P63K5R | CAP CER 5PF 2KV RADIAL |
| MIC5013BN | IC DRIVER MOSFET HI/LO SIDE 8IP |
| S509C25SL0P63K5R | CAP CER 5PF 2KV RADIAL |
| S270K25SL0P6UK5R | CAP CER 27PF 2KV 10% RADIAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MIC5014BM TR | 功能描述:IC DRIVER MOSF HI/LO SIDE 8SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127 |
| MIC5014BN | 功能描述:IC DRIVER MOSFET HI/LO SIDE 8DIP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127 |
| MIC5014YM | 功能描述:功率驱动器IC Low Cost High Side MOSFET Predriver - Lead Free RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| MIC5014YM TR | 功能描述:功率驱动器IC Low Cost High Side MOSFET Predriver - Lead Free RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| MIC5014YM | 制造商:Micrel Inc 功能描述:MOSFET Driver IC |
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