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参数资料
| 型号： | MIC5801YWM TR |
| 厂商： | Micrel Inc |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRVR LATCH 8BIT PAR IN 24SOIC |
| 标准包装： | 1,000 |
| 类型： | 锁存驱动器 |
| 输入类型： | 反相和非反相 |
| 输出数： | 8 |
| 导通状态电阻： | 200 千欧 |
| 电流 - 输出 / 通道： | 500mA |
| 电源电压： | 5 V ~ 12 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 24-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 24-SOIC W |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | MIC5801YWMTR MIC5801YWMTR-ND |
MIC5800/5801
Typical Input
Micrel, Inc.
Absolute Maximum Ratings: (Notes 1–6)
at +25 ° C Free-Air Temperature
Output Voltage, V CE
Supply Voltage, V DD
Input Voltage Range, V IN
50V
15V
–0.3V to V DD + 0.3V
IN
V DD
Continuous Collector Current, I C
Package Power Dissipation:
MIC5800 Plastic DIP (Note 1)
MIC5801 Plastic DIP (Note 2)
MIC5800 SOIC (Note 3)
MIC5801 PLCC (Note 4)
MIC5801 CERDIP (Note 5)
MIC5801 Wide SOIC (Note 6)
Operating Temperature Range, T A
Storage Temperature Range, T S
500mA
2.1W
2.5W
1.0W
2.25W
3.1W
1.4 Watt
–40 ° C to +85 ° C
–65 ° C to +125 ° C
Note 1:
Note 2:
Note 3:
Note 4:
Note 5:
Note 6:
Note 7:
Derate at 16.7 mW/ ° C above T A = +25 ° C
Derate at 20 mW/ ° C above T A = +25 ° C
Derate at 8.5 mW/ ° C above T A = +25 ° C
Derate at 18.2 mW/ ° C above T A = +25 ° C
Derate at 25 mW/ ° C above T A = +25 ° C
Derate at 11 mW/ ° C above T A = +25 ° C
Micrel CMOS devices have input-static protection but are
susceptible to damage when exposed to extremely high static
electrical charges.
Pin Configuration
CLEAR
STROBE
IN1
1
2
3
14 OE
13 VDD
12 OUT1
IN2
IN3
IN4
GND
4
5
6
7
11 OUT2
10 OUT3
9 OUT4
8 COM
OE
CLEAR
STROBE
IN1
1
2
3
4
24 VDD
23 NC
22 OUT1
21 OUT2
IN2
5
20 OUT3
MIC5800BN, BM
IN3
IN4
IN5
6
7
8
19 OUT4
18 OUT5
17 OUT6
CLEAR
1
22 OE
IN6
9
16 OUT7
STROBE
IN1
IN2
2
3
4
21 VDD
20 OUT1
19 OUT2
IN7 10
IN8 11
GND 12
15 OUT8
14 NC
13 COM
IN3
IN4
IN5
IN6
IN7
5
6
7
8
9
18 OUT3
17 OUT4
16 OUT5
15 OUT6
14 OUT7
MIC5801BWM
IN8 10
GND 11
13 OUT8
12 COM
MIC5801BN, AJBQ
MIC5800/5801
2
March 2005
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