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参数资料
| 型号： | MIG30J906HA |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 35 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 283K |
| 代理商： | MIG30J906HA |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MIG50J804H | 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| MIG50J904H | 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| MIG5Q805H | 5 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| MIMD10A-13 | 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MIXA10W1200TMH | 17 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MIG30J951H | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:INTEGRATED GTR MODULE |
| MIG400J101H | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA Intelligent Power Module Silicon N Channel IGBT |
| MIG400J2CSB1W | 功能描述:IPM MOD CMPCT DUAL 600V 400A RoHS:否 类别:半导体模块 >> 功率驱动器 系列:- 标准包装:15 系列:SPM® 类型:FET 配置:三相反相器 电流:1.8A 电压:500V 电压 - 隔离:1500Vrms 封装/外壳:23-DIP 模块 |
| MIG400Q2CMB1X | 功能描述:IPM MOD CMPCT DUAL 1200V 400A RoHS:否 类别:半导体模块 >> 功率驱动器 系列:- 标准包装:15 系列:SPM® 类型:FET 配置:三相反相器 电流:1.8A 电压:500V 电压 - 隔离:1500Vrms 封装/外壳:23-DIP 模块 |
| MIG50J101H | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA Intelligent Power Module Silicon N Channel IGBT |
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