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参数资料
| 型号： | MII150-12A4 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOD IGBT RBSOA 1200V 180A Y3-DCB |
| 标准包装： | 2 |
| IGBT 类型： | NPT |
| 配置： | 半桥 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.7V @ 15V，100A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 180A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 7.5mA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 6.6nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 760W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | Y3-DCB |
| 供应商设备封装： | Y3-DCB |
MII 150-12 A4
MID 150-12 A4
MDI 150-12 A4
I C
250
A
200
T J = 25°C
V GE =17 V
15V
13V
I C
250
A
200
T J = 125°C
V GE =17V
15V
13V
150
100
11V
150
100
11V
9V
50
0
9V
50
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0 V
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5 3.0
3.5 V
250
V CE
Fig. 1 Typ. output characteristics
350
V CE
Fig. 2 Typ. output characteristics
I C
A
200
V CE = 20V
T J = 25°C
I F
A
300
250
T J = 125°C
T J = 25°C
150
100
50
0
200
150
100
50
0
5
6
7
8
9
10
11 V
0
1
2
3
V
4
V GE
Fig. 3 Typ. transfer characteristics
V F
Fig. 4 Typ. forward characteristics of
free wheeling diode
20
V
V CE = 600V
120
300
I C
= 100A
A
ns
V GE 15
I RM
80
t rr
200
t rr
10
T J = 125°C
5
0
40
0
I RM
V R = 600V
I F = 100A
150-12
100
0
0
100
200
300
400
500 nC
0
200
400
A/
600 800 s
1000
Q G
Fig. 5 Typ. turn on gate charge
? 2000 IXYS All rights reserved
-di/dt
Fig. 6 Typ. turn off characteristics of
free wheeling diode
3-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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