收藏本站
参数资料
型号： MIXA80W1200TEH
厂商： IXYS CORP
元件分类： IGBT 晶体管
英文描述： 120 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封装： MODULE-35
文件页数： 7/7页
文件大小： 530K
代理商： MIXA80W1200TEH
2010 IXYS All rights reserved
7 - 7
20100924a
MIXA80W1200TEH
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
NTC
0
25
50
75
100
125
150
10
100
1000
10000
100000
R
[Ω]
Fig.13 Typ. NTC resistance vs. temperature
T
C [°C]
相关PDF资料
PDF描述
MIXA80WB1200TEH 120 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MJ10005PFI 20 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218
MJ10005 20 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
MJ10005P 20 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218
MJ10004P 20 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218
相关代理商/技术参数
参数描述
MIXA80WB1200TEH 功能描述:IGBT 模块 Six Pack SPT IGBT RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
MIXA81H1200EH 功能描述:IGBT 模块 IGBT Module H Bridge RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
MIXA81WB1200TEH 功能描述:IGBT 模块 Six Pack SPT IGBT RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
MIXED-SIGNAL-DC 功能描述:DAUGHTER CARD MIXED SIGNAL RoHS:否 类别:编程器，开发系统 >> 配件 系列:* 产品培训模块:Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program RoHS指令信息:IButton RoHS Compliance Plan 标准包装:1 系列:- 附件类型:USB 至 1-Wire? RJ11 适配器 适用于相关产品:1-Wire? 设备 产品目录页面:1429 (CN2011-ZH PDF)
MIXED-SIGNL-DSP-HB 功能描述:DATABOOK DESIGN TECHNIQUES RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 配件 系列:- 标准包装:1 系列:- 样式:手册 类型:信号分析 标题:Understanding Signals 所含物品:生成、查看和测量波形的指南 其它名称:70009PAR
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*