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参数资料
| 型号： | MJ11011 |
| 厂商： | MOSPEC SEMICONDUCTOR CORP. |
| 英文描述： | POWER TRANSISTORS(30A,60-120V,200W) |
| 中文描述： | 功率晶体管（30A条,60 - 120伏特，功率200W） |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 140K |
| 代理商： | MJ11011 |
A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJ11012 | Dual High Efficiency, Low Noise, Synchronous Step-Down Switching Regulators |
| MJ11011 | Dual High Efficiency, Low Noise, Synchronous Step-Down Switching Regulators |
| MJ11016 | Dual High Efficiency, Low Noise, Synchronous Step-Down Switching Regulators |
| MJ11012 | DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON |
| MJ11012 | 30 AMPERE DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 60.120 VOLTS 200 WATTS |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MJ11012 | 功能描述:达林顿晶体管 30A 60V Bipolar RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MJ11012_01 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High-Current Complementary Silicon Transistors |
| MJ11012G | 功能描述:达林顿晶体管 30A 60V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MJ11012G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR |
| MJ11013 | 功能描述:达林顿晶体管 PNP Power RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
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