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参数资料
| 型号： | MJ11019 |
| 厂商： | AMERICAN MICROSEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 15 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | FORMERLY TO-3, 2 PIN |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 54K |
| 代理商： | MJ11019 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSA06 | 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS6515/D75Z{OPTION5} | 100 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS6514/D81Z | 100 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MJE700TL | 4 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| MPSA65/D10Z{OPTION5} | 500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MJ11020 | 制造商:ISC 制造商全称:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:isc Silicon NPN Darlington Power Transistor |
| MJ11021 | 功能描述:达林顿晶体管 30A 250V Bipolar RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MJ11021_05 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Darlington Silicon Power Transistors |
| MJ11021_08 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Darlington Silicon Power Transistors |
| MJ11021G | 功能描述:达林顿晶体管 30A 250V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
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