型号: | MJ11031 |
厂商: | MOTOROLA INC |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | 50 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS 60.120 VOLTS 300 WATTS |
中文描述: | 50 A, 90 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AE |
文件页数: | 1/3页 |
文件大小: | 154K |
代理商: | MJ11031 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MJ11033 | 50 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS 60.120 VOLTS 300 WATTS |
MJ11031 | COMPLEMENTARY DARLINGTON POWER TRANSISTOR |
MJ11033 | COMPLEMENTARY DARLINGTON POWER TRANSISTOR |
MJ11033 | POWER TRANSISTOR(50A,60-120V,300W) |
MJ15003 | POWER TRANSISTORS(20A,140V,250W) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MJ11032 | 功能描述:达林顿晶体管 50A 120V Bipolar RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
MJ11032 | 制造商:SPC Multicomp 功能描述:TRANSISTOR DARLINGTON TO-3 制造商:TT Electronics/ Semelab 功能描述:TRANSISTOR DARLINGTON TO-3 |
MJ11032G | 功能描述:达林顿晶体管 50A 120V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
MJ11032G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR |
MJ11033 | 功能描述:达林顿晶体管 50A 120V Bipolar RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |