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参数资料
| 型号： | MJ15001 |
| 厂商： | AMERICAN MICROSEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 15 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | FORMERLY TO-3, 2 PIN |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 54K |
| 代理商： | MJ15001 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPS6515/D28Z{OPTION5} | 100 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS6515/D74Z{OPTION5} | 100 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA92/D27Z{OPTION18} | 500 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA42/D89Z{OPTION5} | 500 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS5179/D27Z{OPTION18} | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MJ15001_05 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Silicon Power Transistors |
| MJ15001G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 15A 140V 200W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJ15002 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 15A 140V 200W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJ15002G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 15A 140V 200W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJ15003 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 20A 140V 250W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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