参数资料
型号: MJ15003
厂商: ON SEMICONDUCTOR
元件分类: 功率晶体管
英文描述: POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON
中文描述: 20 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA
封装: CASE 1-07, TO-3, 2 PIN
文件页数: 2/3页
文件大小: 156K
代理商: MJ15003
A
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PDF描述
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相关代理商/技术参数
参数描述
MJ15003 制造商:SPC Multicomp 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-3
MJ15003G 功能描述:两极晶体管 - BJT 20A 140V 250W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJ15004 功能描述:两极晶体管 - BJT 20A 140V 250W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJ15004 制造商:SPC Multicomp 功能描述:TRANSISTOR PNP TO-3
MJ15004G 功能描述:两极晶体管 - BJT 20A 140V 250W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2