型号: | MJ15011.MOD |
厂商: | SEMELAB LTD |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | 10 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
封装: | HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN |
文件页数: | 1/1页 |
文件大小: | 11K |
代理商: | MJ15011.MOD |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MJ15011 | 10 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
MJ15012.MOD | 10 A, 250 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
MJ15012 | 10 A, 250 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
MJ15019 | 4 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
MJ15018 | 4 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MJ15012 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 10A 250V 200W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MJ15012G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 10A 250V 200W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MJ15015 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 15A 120V 180W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MJ15015G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 15A 120V 180W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MJ15016 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 15A 120V 180W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |