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参数资料
| 型号： | MJD122-1 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 8 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | IPAK-3 |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 101K |
| 代理商： | MJD122-1 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJD122-TP | POWER TRANSISTOR |
| MJD122I | 8 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD127-1 | 8 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD127-I | 8 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD13005-1 | Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, TO-251 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MJD122G | 功能描述:达林顿晶体管 8A 100V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MJD122G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR DARLINGTON 100V 8A D-PAK 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR, DARLINGTON, 100V, 8A, D-PAK 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR, DARLINGTON, 100V, 8A, D-PAK, Transistor Polarity:NPN, Collector Emit |
| MJD122T4 | 功能描述:达林顿晶体管 NPN Power Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MJD122T4G | 功能描述:达林顿晶体管 8A 100V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MJD122T4G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:DARLINGTON TRANSISTOR NPN 100V D-PAK |
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