型号: | MJD122-TP |
厂商: | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | POWER TRANSISTOR |
封装: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DPAK-3 |
文件页数: | 3/3页 |
文件大小: | 272K |
代理商: | MJD122-TP |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MJD122I | 8 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
MJD127-1 | 8 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
MJD127-I | 8 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
MJD13005-1 | Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, TO-251 |
MJD148-1 | 4 A, 45 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MJD127 | 功能描述:达林顿晶体管 8A 100V Bipolar RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
MJD127/TEST/LH | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TRANS DARLINGTON PNP 100V 8A 3PIN DPAK - Virtual or Non-Physical Inventory (Software & Literature) |
MJD127-1 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:SILICON POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 100 VOLTS 20 WATT |
MJD127G | 功能描述:达林顿晶体管 8A 100V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
MJD127T4 | 功能描述:达林顿晶体管 PNP Power Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |