型号: | MJD148T4 |
厂商: | MOTOROLA INC |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | 4 A, 45 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
封装: | CASE 369A-13, DPAK-3 |
文件页数: | 1/1页 |
文件大小: | 41K |
代理商: | MJD148T4 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MTD3055ET4 | 8 A, 60 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
MTD8N06ET4 | 8 A, 60 V, 0.12 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
MTD4N20T4 | 4 A, 200 V, 0.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
MTD4N20 | 4 A, 200 V, 0.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
MTD10N05ET4 | 10 A, 50 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MJD148T4G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 4A 45V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MJD18002D2 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:POWER TRANSISTOR 2 AMPERES 1000 VOLTS, 50 WATTS Bipolar NPN Transistor |
MJD18002D2T4 | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 2A 450V TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MJD18002D2T4G | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 2A 450V TR F RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MJD200 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 5A 25V 12.5W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |