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参数资料
| 型号： | MJD253 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 4 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | CASE 369A-13, DPAK-3 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 41K |
| 代理商： | MJD253 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJD13003T4 | 1.5 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD5731T4 | 1 A, 350 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD148 | 4 A, 45 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD200TF | 5 A, 25 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 |
| MJD210-1 | 5 A, 25 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MJD253-001 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 4A 100V 12.5W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD253-1 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Silicon Plastic Power Transistor DPAK-3 for Surface Mount Applications |
| MJD253-1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 4A 100V 12.5W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD253T4 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 4A 100V 12.5W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD253T4G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 4A 100V 12.5W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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