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参数资料
| 型号： | MJD29C-T1 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 1 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | DPAK-3 |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 79K |
| 代理商： | MJD29C-T1 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJD3055-I | 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD3055-T1 | 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD3055I | 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD30C-1 | 1 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD30C-T1 | 1 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MJD29CTF | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD29TF | 功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD-2V16W1P3 | 制造商:SEOUL 制造商全称:Seoul Semiconductor 功能描述:120V 17W Downlight |
| MJD3055 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 10A 60V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD3055-1 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:SILICON POWER TRANSISTORS 10 AMPERES 60 VOLTS 20 WATTS |
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